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IXFN 34N100
12
30000
10
V DS = 500 V
I D = 17 A
10000
Ciss
f = 100kHz
8
I G = 10 mA
Coss
6
1000
4
2
Crss
0
0
100
200
300
400
500
600
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
100
80
60
Gate Charge - nC
Figure 7. Gate Charge
V DS - Volts
Figure 8. Capacitance Curves
40
T J = 125 O C
T J = 25 O C
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V SD - Volts
Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic Diode
1.000
0.100
0.010
0.001
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
Figure 10. Transient Thermal Resistance
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
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